為什么在商用空調(diào)熱泵驅(qū)動(dòng)中SiC碳化硅MOSFET正在替代IGBT！
國(guó)產(chǎn)基本™（BASiC Semiconductor）SiC碳化硅MOSFET在三相熱泵商用空調(diào)壓縮機(jī)驅(qū)動(dòng)中的應(yīng)用-傾佳電子（Changer Tech）專業(yè)分銷
 
適用于三相熱泵商用空調(diào)壓縮機(jī)驅(qū)動(dòng)的國(guó)產(chǎn)基本™（BASiC Semiconductor）碳化硅MOSFET模塊-傾佳電子（Changer Tech）專業(yè)分銷
 
傾佳電子（Changer Tech）致力于國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應(yīng)商-基本半導(dǎo)體™國(guó)產(chǎn)碳化硅（SiC）MOSFET在電力電子應(yīng)用中全面取代IGBT，全力推動(dòng)國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應(yīng)商-基本半導(dǎo)體™國(guó)產(chǎn)碳化硅（SiC）MOSFET加速革掉IGBT的命！Changer Tech is making every effort to promote the domestic BASiC silicon carbide (SiC) MOSFET to accelerate the replacement of IGBT!
 
對(duì)于通用應(yīng)用，SiC 功率器件可以替代 Si IGBT，從而將開關(guān)損耗降低高達(dá) 70% 至 80%，具體取決于轉(zhuǎn)換器和電壓和電流水平。IGBT 相關(guān)的較高損耗可能成為一個(gè)重要的考慮因素。熱管理會(huì)增加使用 IGBT 的成本，而其較慢的開關(guān)速度會(huì)增加電容器和電感器等無源元件的成本。從整體系統(tǒng)成本來看SiC MOSFET加速替代IGBT已經(jīng)成為各類新... [詳細(xì)介紹]