為什么在儲能變流器PCS應(yīng)用中碳化硅SiC碳化硅模塊全面革掉IGBT模塊的命！

 

IGBT模塊在十幾 kHz開關(guān)頻率中就會(huì)表現(xiàn)出嚴(yán)重的局限性，由于IGBT模塊尾電流導(dǎo)致?lián)p耗較大。使用 SiC-MOSFET模塊，開關(guān)頻率增加，從而減小了濾波器體積。SiC 模塊允許在數(shù)十和數(shù)百 kHz 的頻率下運(yùn)行，開關(guān)損耗相對較低，從而顯著減少了濾波器和散熱熱系統(tǒng)的體積。這些技術(shù)進(jìn)步使變流器總體積大幅度減少，效率提高，從而能夠在較低溫度下運(yùn)行并可能延長組件的使用壽命。

為了滿足PCS儲能變流器更高效的需求，使用基本公司碳化硅SiC碳化硅模塊全面取代IGBT模塊，可以提升系統(tǒng)效率1%，有效提升客戶在PCS生命周期里的收益。SiC碳化硅模塊全面取代IGBT模塊，從而將PCS儲能變流器開關(guān)損耗降低高達(dá) 70% 至 80%，在儲能變流器PCS應(yīng)用中碳化硅SiC碳化硅模塊全面革掉IGBT模塊的命。

 

 

為了保持電力電子系統(tǒng)競爭優(yōu)勢，同時(shí)也為了使最終用戶獲得經(jīng)濟(jì)效益，一定程度的效率和緊湊性成為每一種電力電子應(yīng)用功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用的優(yōu)勢所在。隨著IGBT技術(shù)到達(dá)發(fā)展瓶頸，加上SiC MOSFET絕對成本持續(xù)下降，使用SiC MOSFET單管及模塊替代升級IGBT單管及模塊已經(jīng)成為各類型電力電子應(yīng)用的主流趨勢。

 

學(xué)習(xí)匯川技術(shù)，咬住必然，勇立潮頭！國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件一級代理商傾佳電子楊茜咬住三個(gè)必然，勇立功率器件變革潮頭：

 

國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件一級代理商傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET模塊革掉IGBT模塊的必然趨勢！

 

國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件一級代理商傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET單管革掉IGBT單管的必然趨勢！

 

國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件一級代理商傾佳電子楊茜咬住650V SiC碳化硅MOSFET單管革掉SJ超結(jié)MOSFET的必然趨勢！

 

相較于傳統(tǒng)封裝形式，BASiC™基半股份PCB嵌入式功率模塊單位半導(dǎo)體的通流能力可以提升約40%，或者同樣電流輸出使用的半導(dǎo)體用量減少1/3。同樣功率輸出條件下，功率模塊物料成本有望降低20%。PCB布局設(shè)計(jì)相對于傳統(tǒng)封裝設(shè)計(jì)更加靈活，大大加快了工程開發(fā)的迭代速度和客戶交付速度。受到封裝限制而難以在傳統(tǒng)逆變器中實(shí)現(xiàn)的高級電路拓?fù)洌缛娖?、IGBT/SiC MOSFET混并等方案，都可以借助BASiC™基半股份PCB嵌入式封裝高度靈活性的優(yōu)勢而加速了產(chǎn)業(yè)化落地。

根據(jù)技術(shù)和商業(yè)評估，BASiC™基半股份PCB嵌入式功率模塊是一項(xiàng)非常有前景的封裝技術(shù)，有望在在單位功率成本、功率密度、產(chǎn)品交付和迭代速度等方面遠(yuǎn)遠(yuǎn)超越傳統(tǒng)封裝，成為未來電力電子應(yīng)用的新方向。

 

SiC碳化硅模塊在電力電子應(yīng)用中全面取代IGBT模塊的構(gòu)網(wǎng)型儲能PCS實(shí)現(xiàn)多場站級自同步幅頻調(diào)制技術(shù)，實(shí)現(xiàn)了自同步的并聯(lián)構(gòu)網(wǎng)，提升了主動(dòng)快速無功響應(yīng)、有功支撐、故障穿越、抗沖擊性負(fù)荷和帶載同步黑啟動(dòng)的能力，實(shí)現(xiàn)了多場景全工況構(gòu)網(wǎng)、電網(wǎng)主動(dòng)支撐、并機(jī)環(huán)流有效抑制和多場站級大規(guī)模自同步穩(wěn)定運(yùn)行。

 

SiC碳化硅模塊在電力電子應(yīng)用中全面取代IGBT模塊的構(gòu)網(wǎng)型儲能PCS實(shí)現(xiàn)寬頻自穩(wěn)和致穩(wěn)控制技術(shù)，實(shí)現(xiàn)了不同電網(wǎng)規(guī)模、不同電網(wǎng)強(qiáng)度條件下的穩(wěn)定并網(wǎng)和寬頻振蕩抑制，提升了與光伏、風(fēng)電、同步發(fā)電機(jī)等多類型電源并列穩(wěn)定運(yùn)行的能力，拓展了構(gòu)網(wǎng)型儲能系統(tǒng)的應(yīng)用場景。

 

SiC碳化硅模塊在電力電子應(yīng)用中全面取代IGBT模塊的構(gòu)網(wǎng)型儲能PCS實(shí)現(xiàn)智能組串式儲能雙級變換架構(gòu)下電壓與有功功率解耦控制技術(shù)，有助于支撐電網(wǎng)穩(wěn)定，保障了儲能系統(tǒng)安全，提升了儲能系統(tǒng)可用度和擴(kuò)容升級能力；研發(fā)了精細(xì)化智能電池管理技術(shù)，提升了全SOC范圍恒功率輸出能力。

 

SiC碳化硅模塊在電力電子應(yīng)用中全面取代IGBT模塊的構(gòu)網(wǎng)型儲能PCS實(shí)現(xiàn)了暫態(tài)高倍率有功、無功快速支撐。提升了在復(fù)雜、惡劣環(huán)境條件下的長時(shí)間可靠運(yùn)行能力；構(gòu)建了安全可靠的底層核心器件設(shè)計(jì)、制造的能力體系。

 

IGBT芯片技術(shù)不斷發(fā)展，但是從一代芯片到下一代芯片獲得的改進(jìn)幅度越來越小。這表明IGBT每一代新芯片都越來越接近材料本身的物理極限。SiC MOSFET寬禁帶半導(dǎo)體提供了實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體總功率損耗的顯著降低的可能性。使用SiC MOSFET可以降低開關(guān)損耗，從而提高開關(guān)頻率。進(jìn)一步的，可以優(yōu)化濾波器組件，相應(yīng)的損耗會(huì)下降，從而全面減少系統(tǒng)損耗。通過采用低電感SiC MOSFET功率模塊，與同樣封裝的Si IGBT模塊相比，功率損耗可以降低約70%左右，可以將開關(guān)頻率提5倍（實(shí)現(xiàn)顯著的濾波器優(yōu)化），同時(shí)保持最高結(jié)溫低于最大規(guī)定值。

 

未來隨著設(shè)備和工藝能力的推進(jìn)，更小的元胞尺寸、更低的比導(dǎo)通電阻、更低的開關(guān)損耗、更好的柵氧保護(hù)是SiC碳化硅MOSFET技術(shù)的主要發(fā)展方向，體現(xiàn)在應(yīng)用端上則是更好的性能和更高的可靠性。

為此，BASiC™基本公司研發(fā)推出更高性能的第三代碳化硅MOSFET，該系列產(chǎn)品進(jìn)一步優(yōu)化鈍化層，提升可靠性，相比上一代產(chǎn)品擁有更低比導(dǎo)通電阻、器件開關(guān)損耗，以及更高可靠性等優(yōu)越性能，可助力光伏儲能、新能源汽車、直流快充、工業(yè)電源、通信電源、伺服驅(qū)動(dòng)、APF/SVG、熱泵驅(qū)動(dòng)、工業(yè)變頻器、逆變焊機(jī)、四象限工業(yè)變頻器等行業(yè)實(shí)現(xiàn)更為出色的能源效率和應(yīng)用可靠性。