鵬城半導體技術（深圳）有限公司，由哈爾濱工業(yè)大學（深圳）、北京琨騰科技有限公司以及有多年實踐經(jīng)驗的工程師團隊共同發(fā)起創(chuàng)建。公司立足于技術前沿與市場前沿的交叉點，尋求創(chuàng)新引領與可持續(xù)發(fā)展，解決產(chǎn)業(yè)的痛點和國產(chǎn)化難題，爭取產(chǎn)業(yè)鏈的自主可控。

公司核心業(yè)務是半導體材料、工藝和裝備的研發(fā)設計、生產(chǎn)制造。

公司人才團隊知識結構完整，有以哈工大教授和博士為核心的高水平材料研究和工藝研究團隊；還有來自工業(yè)界的高級裝備設計師團隊和工藝工程師團隊，他們具有20多年成套裝備設計和生產(chǎn)制造經(jīng)驗。

公司依托于哈爾濱工業(yè)大學（深圳），具備先進的半導體研發(fā)平臺和檢測儀器，可以在高起點開展科研工作。公司已具有4000多平米潔凈廠房，可開展半導體材料和組件的中試、生產(chǎn)，同時可進行半導體裝備的生產(chǎn)和調試。

公司在半導體裝備方面已形成多種產(chǎn)品系列，可供用戶購買。

 

業(yè)績展示

 

完全自主設計制造的分子束外延（MBE）設備，包括自主設計制造的MBE超高真空外延生長室、工藝控制系統(tǒng)與軟件、高溫束源爐、高溫樣品臺、Rheed原位實時在線監(jiān)控儀（反射高能電子衍射儀）、直線型電子槍、膜厚儀（可計量外延生長的分子層數(shù)）、射頻源等關鍵部件。真空度達到2×10-8Pa。

設備于2005年在浙江大學光學儀器國家重點實驗室投入使用，至今仍在正常使用。

設計制造磁控濺射與等離子體增強化學氣相沉積法PECVD技術聯(lián)合系統(tǒng)，應用于團簇式太陽能薄膜電池中試線。使用單位中科院電工所。

設計制造了金剛石薄膜制備設備，應用于金剛石薄膜材料的研究與中試生產(chǎn)設備?，F(xiàn)使用單位中科院金屬研究所。

設計制造了全自動磁控濺射設備，可加水平磁場和垂直磁場，自行設計的真空機械手傳遞基片。應用于高密度磁記錄材料與器件的研究和中試?，F(xiàn)使用單位國家光電實驗室。

設計制造了OLED有機半導體發(fā)光材料及器件的研究和中試成套裝備。現(xiàn)使用單位香港城市大學先進材料實驗室。

設計制造了MOCVD及合金退火爐，用于GaN和ZnO的外延生長，實現(xiàn)LED無機半導體發(fā)光材料與器件的研究和中試?，F(xiàn)使用單位南昌大學國家硅基LED工程技術研究中心。

設計制造了磁控濺射研究型設備?，F(xiàn)使用單位浙江大學半導體所。

設計制造了電子束蒸發(fā)儀研究型設備?，F(xiàn)使用單位武漢理工大學。